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![超薄HfO2高K栅介质中电场依赖的时变击穿（TDDB）特性]( "超薄HfO2高K栅介质中电场依赖的时变击穿（TDDB）特性")
超薄HfO2高K栅介质中电场依赖的时变击穿（TDDB）特性
全部作者：杨红萨宁康晋锋第1作者单位：北京大学微电子所论文摘要：本文利用高温工艺制备了等效氧化层厚度（EOT）小于0.9纳米的超薄HfO2高K栅介质MOS器件，研究了其时变击穿（TDDB）特性。结果显示，其TDDB特性呈本征特性，在常电压应力...
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![低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI]( "低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI")
低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI
全部作者：萨宁杨红康晋锋第1作者单位：北京大学微电子所论文摘要：本文利用高温工艺制备了HfN/HfO2高K栅介质的n-FETs和p-FETs，内含原生缺陷密度较低，分别研究了正偏压-温度不稳定特性和负偏压-温度不稳定特性（PBTI和NBTI）。结...
