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低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI
全部作者:萨宁杨红康晋锋第1作者单位:北京大学微电子所论文摘要:本文利用高温工艺制备了HfN/HfO2高K栅介质的n-FETs和p-FETs,内含原生缺陷密度较低,分别研究了正偏压-温度不稳定特性和负偏压-温度不稳定特性(PBTI和NBTI)。结...