奇码(Magima)笔试题目(收集篇)
考研3.04W
收集一:
一.填空
1.集成电路的分类,按材料,工艺
2.集成电阻的计算,以及其制造工艺
,Vtn的正负判断,分别对于增强型和耗尽型
电路功耗包括哪两个部分,功耗设计主要考虑的因素
……(还有几道不记得了)
二.填表
全定制,门阵列,FPGA各自单元模块,连线的性质……
三.填图
CMOS工艺流程填图画图
四.问答
单元负载较大的电容时,只有提高W,这样会使W*L增加,相对前级又时一个大电容,如何解决这一矛盾?
2.结合软件谈谈全定制集成电路设计流程
3.谈谈对Layout设计的看法
五.翻版图或者画版图,选一
第二卷
1.什么是格雷码?
ist采样定例
3.球一米高落下,每次探起一半,求路程和重力做功
4.运算放大器1,…………2,有几级,各级之间耦合方式有几种,分析各种的.优劣。
收集二:1.画出NMOS的特性曲线(指明饱和区,截至区,线性区,击穿区和C-V曲线)
2.2.2um工艺下,Kn=3Kp,设计一个反相器,说出器件尺寸。
3.说出制作N-well的工艺流程。
4.雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5.用CMOS画一个D触发器(clk,d,q,q-)
一.填空
1.集成电路的分类,按材料,工艺
2.集成电阻的计算,以及其制造工艺
,Vtn的正负判断,分别对于增强型和耗尽型
电路功耗包括哪两个部分,功耗设计主要考虑的因素
……(还有几道不记得了)
二.填表
全定制,门阵列,FPGA各自单元模块,连线的性质……
三.填图
CMOS工艺流程填图画图
四.问答
单元负载较大的电容时,只有提高W,这样会使W*L增加,相对前级又时一个大电容,如何解决这一矛盾?
2.结合软件谈谈全定制集成电路设计流程
3.谈谈对Layout设计的看法
五.翻版图或者画版图,选一
第二卷
1.什么是格雷码?
ist采样定例
3.球一米高落下,每次探起一半,求路程和重力做功
4.运算放大器1,…………2,有几级,各级之间耦合方式有几种,分析各种的.优劣。
收集二:1.画出NMOS的特性曲线(指明饱和区,截至区,线性区,击穿区和C-V曲线)
2.2.2um工艺下,Kn=3Kp,设计一个反相器,说出器件尺寸。
3.说出制作N-well的工艺流程。
4.雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5.用CMOS画一个D触发器(clk,d,q,q-)
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