SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管

全部作者：张新安张景文侯洵第1作者单位：西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室论文摘要：在NH3和O2的混合气氛下，采用激光分子束外延法（L-MBE）在SiO2/p-Si衬底上制备氮掺杂ZnO薄膜， XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高的结晶质量和高度的C轴择优取向性，（0002）面摇摆曲线的半峰宽仅为1.89°；并在此基础上制备了以氮掺杂ZnO薄膜为沟道层、以SiO2为绝缘层的底栅式薄膜晶体管，电学测试表明该晶体管工作在N沟道增强模式，阈值电压为5.15V，电流开关比为104，电子的'场迁移率达到2.66 cm2/V•S。关键词：ZnO 薄膜；激光分子束外延；薄膜晶体管；迁移率 (浏览全文)发表日期：2007年01月15日同行评议：

以氮掺杂ZnO为沟道材料，SiO2为栅介质的TFT具有1定创新性。修改内容：（1）图3的图注下标有误；（2）结论中涉及“AFM”和“表面形貌”，但正文中无相关内容。　