Ca2Si电子结构和光学性质的研究

全部作者：杨创华谢泉赵凤娟陈茜任雪勇梁艳曾武贤第1作者单位：贵州大学论文摘要：采用第1性原理赝势平面波方法系统的计算了Ca2Si电子结构和光学性质，其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数。计算结果显示Ca2Si是典型的半导体，正交相结构有1个直接的带隙，并且光学性质显示出各向异性。Ca2Si立方相的计算结果也显示是直接带隙半导体，并且有很高的`振子强度。从能带和态密度的计算结果判断出它们的光学性质主要由Si的3p态电子向Ca的3d态的带间跃迁所决定。关键词：Ca2Si；第1性原理计算；电子结构；光学性质 (浏览全文)发表日期：2007年07月11日同行评议：

目前寻求与硅集成电路工艺.相兼容的光电子材料是半导体材料研究领域的热点之1。Ca2Si就是潜在的有应用前景的1种材料。但是，目前关于该材料的实验和理论的研究都处于起步阶段。杨创华等人的论文从第1性原理出发，研究了Ca2Si的电子结构和光学性质，该出了该材料的能带，态密度，介电函数，复折射率，吸收系数，光电导率和能量损失函数的有关结果，并证实立方相Ca2Si是直接带隙半导体。论文得到的结果对于今后的研究具有较好的参考价值。该论文行文流畅，分析合理，逻辑性强。